產(chǎn)品展示 PRODUCT
金屬膜電阻器是膜式電阻器(Film Resistors)中的一種。它是采用高溫真空鍍膜技術(shù)將鎳鉻或類似的合金緊密附在瓷棒表面形成皮膜,經(jīng)過切割調(diào)試阻值,以達(dá)到最終要求的精密阻值,然后加適當(dāng)接頭切割,并...
半導(dǎo)體材料根據(jù)時間先后可以分為三代。第一代為鍺、硅等普通單質(zhì)材料,其特點為開關(guān)便捷,一般多用于集成電路。第二代為砷化鎵、磷化銦等化合物半導(dǎo)體,主要用于發(fā)光及通訊材料。第三代半導(dǎo)體主要包括碳化硅、氮化鎵...
碳化硅的厚度范圍?可以從幾微米到幾毫米不等,具體取決于其應(yīng)用場景和制造工藝。例如,碳化硅晶圓片的厚度可以達(dá)到130微米(um),而碳化硅顆粒的尺寸則有1-3mm、3-5mm等多種規(guī)格?12。碳化硅在不...
非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制,在材料中產(chǎn)生熱波,光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播,這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...
非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制,在材料中產(chǎn)生熱波,光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播,這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...
非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制,在材料中產(chǎn)生熱波,光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播,這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓的厚度測量是至關(guān)重要的一環(huán),它直接關(guān)系到產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。為了滿足高精度測量的需求,我們研發(fā)了一款對射非接觸式光譜共焦位移傳感器厚度測量設(shè)備,專門用于晶圓厚度的精確測量
金剛石膜檢測與測試報告 檢測項目 金剛石膜的檢測項目主要包括以下幾個方面:膜厚度、晶體結(jié)構(gòu)、表面粗糙度、附著力、熱穩(wěn)定性及耐磨性等。
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2021年
公司成立1000萬
注冊資金28個
專利技術(shù)365天
用心服務(wù)每一天技術(shù)文章 ARTICLES
PN型測試儀是一種常用于電子行業(yè)中的工具,主要用于測量半導(dǎo)體材料和器件的特性,尤其是在PN結(jié)(P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸的部分)的性能測試中。PN結(jié)是現(xiàn)代電子設(shè)備中極其重要的基礎(chǔ)元件,廣泛應(yīng)用于二極管、晶體管等器件的制造中。核心工作原理是基于半導(dǎo)體的電性特征。半導(dǎo)體中的P型和N型區(qū)域形成PN結(jié),PN結(jié)具有電氣性質(zhì)。在沒有外加電壓的情況下,PN結(jié)會形成一個電場,阻礙電流流動。而當(dāng)施加正向電壓時,電流便可以通過PN結(jié)流動;而施加反向電壓時,電流幾乎不會通過,除非電壓達(dá)到一定值(即...
霍爾遷移率測試儀的使用過程涉及到的步驟霍爾遷移率測試儀的使用過程通常包括以下關(guān)鍵步驟:準(zhǔn)備工作:檢查儀器:確保霍爾遷移率測試儀及其附件完好無損,檢查電源線、連接線等是否齊全。預(yù)熱儀器:根據(jù)儀器要求,可能需要預(yù)熱一段時間,以確保儀器內(nèi)部處于穩(wěn)定狀態(tài)。記錄參數(shù):查看并記錄霍爾元件的規(guī)格參數(shù),如尺寸、導(dǎo)電類型及材料等,這些參數(shù)在后續(xù)計算中會用到。連接線路:正確接線:按照儀器說明書或?qū)嶒炓螅瑢⒒魻栐c測試儀正確連接。通常,霍爾元件的工作電流端和霍爾電壓輸出端需要分別連接到測試儀的...
霍爾遷移率測試儀是一種用于測量半導(dǎo)體材料中載流子遷移率的重要儀器設(shè)備。在半導(dǎo)體和電子器件的研發(fā)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制中,遷移率作為衡量載流子(電子或空穴)在材料內(nèi)部運動速度的關(guān)鍵參數(shù),直接影響器件的性能表現(xiàn)。核心原理基于霍爾效應(yīng)。霍爾效應(yīng)是指在導(dǎo)體或半導(dǎo)體材料中,載流子在磁場中的偏轉(zhuǎn)導(dǎo)致橫向電勢(霍爾電壓)的產(chǎn)生。當(dāng)在樣品中施加垂直于電流的磁場時,載流子在洛倫茲力作用下偏向一側(cè),形成霍爾電壓。這個電壓與載流子濃度、遷移率、施加電場等參數(shù)密切相關(guān)。霍爾遷移率測試儀的具體工作流程:1....
無損電阻率測試儀是一種用于測試物質(zhì)電阻率的儀器,特別適用于不希望對樣品造成任何損害的檢測場合。這種測試儀廣泛應(yīng)用于工程檢測、材料分析以及質(zhì)量控制等領(lǐng)域。通過不同的物理原理和方法,可以實現(xiàn)對材料電阻率的精確測量,且不會對樣品本身產(chǎn)生任何物理或化學(xué)上的影響。無損電阻率測試儀的工作原理:1.接觸式測量原理通過在材料表面放置電極,施加一定的電流,并測量電壓降落。根據(jù)歐姆定律\(R=\frac\)(電阻R等于電壓V與電流I之比),可以計算出電阻值。而電阻率是電阻與樣品的幾何...
遷移率測試儀是用于測量材料中載流子(如電子、離子)遷移速率的專業(yè)設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、新能源電池、納米材料等領(lǐng)域。其通過精確控制電場、溫度等條件,量化載流子在材料中的移動能力,為材料性能評估與研發(fā)提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。一、使用前準(zhǔn)備(一)設(shè)備檢查使用前需全面檢查遷移率測試儀各部件狀態(tài)。查看主機(jī)外殼是否完好,確認(rèn)顯示屏、操作按鈕、接口等無損壞;檢查電場發(fā)生裝置、溫度控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集模塊等核心組件連接是否穩(wěn)固。特別要檢查測試腔密封性,確保無漏氣、漏液現(xiàn)象,避免外部環(huán)境干擾測試結(jié)果。同...
半絕緣碳化硅與導(dǎo)電性碳化硅在電特性和應(yīng)用領(lǐng)域上差異顯著。半絕緣碳化硅,作為一種電阻率較高的材料,其電阻率范圍通常在10^5-10^12Ω.cm,非常適用于高溫、高電壓環(huán)境,如電力電子設(shè)備和電動汽車部件。而導(dǎo)電性碳化硅,電阻率低,位于10^-3-10^-2Ω.cm之間,更適合低壓、高電流場景,如功率半導(dǎo)體和射頻電子器件。此外,由于成分和制備工藝的差異,導(dǎo)電性碳化硅的成本相對較高,而半絕緣碳化硅則因其電性能要求較低而成本更為親民。因此,在選擇材料時,需根據(jù)具體應(yīng)用環(huán)境來決定:高溫...
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